檢, ‘반도체 기술 유출’ 前 삼성전자 직원 구속기소

중국 반도체 회사에 기술 유출
검찰 "6년간 29억원 부당 이익"

서울 서초구 서울중앙지검 /연합뉴스

반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 전직 삼성전자 연구원 전모씨가 2일 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 이날 전씨를 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소했다. 삼성전자에서 중국 D램 반도체회사 CXMT로 이직한 전씨는 개발비 약 1조6000억원이 들어간 D램 공정 국가핵심기술을 부정 취득·사용한 것으로 검찰조사 결과 확인됐다.

검찰은 지난해 1월 삼성전자의 D램 공정기술을 부정 취득·사용한 혐의로 삼성전자 부장 출신 김모씨를 구속기소한 뒤 추가 수사를 벌인 끝에 전씨의 범행을 확인했다. 전씨와 김씨는 CXMT로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정기술 확보 및 핵심인력 영입을 통한 CXMT의 D램 반도체 개발계획을 수립하고, 다른 회사로 이직하는 것처럼 위장 입사를 하기도 했다.

특히 이들은 체포시 암호 전파 등 향후 수사에 철저히 대비하며 범행을 벌인 것으로 밝혀졌다. 출국금지 또는 체포 시 단체 대화방에 암호로 '♡♡♡♡(하트 네 개)'를 남기도록 하는 등 주도면밀하게 범행을 계획했다고 검찰은 설명했다.

전씨는 CXMT로부터 사인온 보너스 3억원, 스톡옵션 3억원 등 약 6년간 29억원 상당을 지급받은 것으로 파악된다. 검찰은 이번 사건으로 인한 삼성전자의 지난해 추정 매출감소액이 수조원에 달하는 것으로 추산했다.

삼성전자 내부 자료를 유출한 공범은 국제형사경찰기구(인터폴)를 통해 추적 중에 있다.

검찰 관계자는 "피해 기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응할 것"이라고 밝혔다.